AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications

Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F Medjdoub
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
S. Vandenbrouck
  • Fonction : Auteur
E. Delos
  • Fonction : Auteur
E. Feltin
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
E. Kohn
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00284400

Soumis le : mardi 3 juin 2008-08:54:10

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00284400 , version 1 (03-06-2008)

Identifiants

Citer

Christophe Gaquière, F Medjdoub, J.F. Carlin, S. Vandenbrouck, E. Delos, et al.. AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications. IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007, 2007, United States. pp.2145-2148, ⟨10.1109/MWSYM.2007.380349⟩. ⟨hal-00284400⟩

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