Low temperature implementation of dopant-segregated band-edge metallic S/D junctions in thin-body SOI p-MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Low temperature implementation of dopant-segregated band-edge metallic S/D junctions in thin-body SOI p-MOSFETs

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
R. Valentin
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
Gilles Dambrine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00284387 , version 1 (03-06-2008)

Identifiants

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois, R. Valentin, N. Breil, Francois Danneville, et al.. Low temperature implementation of dopant-segregated band-edge metallic S/D junctions in thin-body SOI p-MOSFETs. IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007, 2007, United States. pp.147-150, ⟨10.1109/IEDM.2007.4418886⟩. ⟨hal-00284387⟩
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