Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00284099
Soumis le : lundi 2 juin 2008-11:14:55
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
D. Vignaud, Dmitri Yarekha, Jean-Francois Lampin, M. Zaknoune, S. Godey, et al.. Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density. 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07, 2007, Japan. pp.586-587, ⟨10.1109/ICIPRM.2007.381257⟩. ⟨hal-00284099⟩
Collections
34
Consultations
0
Téléchargements