High-speed SiGe BiCMOS technologies : 120-nm status and end-of-roadmap challenges - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

High-speed SiGe BiCMOS technologies : 120-nm status and end-of-roadmap challenges

P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
B. Barbalat
  • Fonction : Auteur
M. Laurens
  • Fonction : Auteur
B. Vandelle
  • Fonction : Auteur
L. Rubaldo
  • Fonction : Auteur
B. Geynet
  • Fonction : Auteur
S.P. Voinigescu
  • Fonction : Auteur
T.O. Dickson
  • Fonction : Auteur
N. Zerounian
  • Fonction : Auteur
S. Chouteau
  • Fonction : Auteur
D. Dutartre
A. Monroy
  • Fonction : Auteur
F. Aniel
  • Fonction : Auteur
A. Chantre
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00284032 , version 1 (02-06-2008)

Identifiants

Citer

P. Chevalier, B. Barbalat, M. Laurens, B. Vandelle, L. Rubaldo, et al.. High-speed SiGe BiCMOS technologies : 120-nm status and end-of-roadmap challenges. 7th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2007, 2007, United States. pp.18-23, ⟨10.1109/SMIC.2007.322759⟩. ⟨hal-00284032⟩
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