Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00283495
Soumis le : vendredi 30 mai 2008-10:57:59
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F Medjdoub, N. Sarazin, M. Tordjman, M. Magis, M.A. Di Forte-Poisson, et al.. Characteristics of Al2O3/AllnN/GaN MOSHEMT. Electronics Letters, 2007, 43, pp.691-692. ⟨10.1049/el:20070425⟩. ⟨hal-00283495⟩
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