AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2007

AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification

S. Boulay
  • Fonction : Auteur
S. Touati
  • Fonction : Auteur
A. Sar
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Christophe Gaquière
S. Joblot
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur
J. Massies
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00283493 , version 1 (30-05-2008)

Identifiants

Citer

S. Boulay, S. Touati, A. Sar, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54, pp.2843-2848. ⟨10.1109/TED.2007.907189⟩. ⟨hal-00283493⟩
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