Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00283493
Soumis le : vendredi 30 mai 2008-10:57:55
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54, pp.2843-2848. ⟨10.1109/TED.2007.907189⟩. ⟨hal-00283493⟩
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