Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?

F Medjdoub
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
M. Gonschorek
  • Fonction : Auteur
E. Feltin
  • Fonction : Auteur
M.A. Py
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
N. Grandjean
E. Kohn
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00247419 , version 1 (08-02-2008)

Identifiants

Citer

F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, et al.. Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?. IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006, 2006, United States. pp.673-676, ⟨10.1109/IEDM.2006.346935⟩. ⟨hal-00247419⟩
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