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Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scattering spectroscopy and transient interferometric mapping

E. Pichonat
J. Kuzmik
  • Fonction : Auteur
S. Bychikhin
  • Fonction : Auteur
D. Pogany
  • Fonction : Auteur
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00247418 , version 1 (08-02-2008)

Identifiants

Citer

E. Pichonat, J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, M.A. Poisson, et al.. Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scattering spectroscopy and transient interferometric mapping. 1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, United Kingdom. pp.54-57, ⟨10.1109/EMICC.2006.282748⟩. ⟨hal-00247418⟩
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