Communication Dans Un Congrès
Année : 2007
Marie-Anne Jung : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00204821
Soumis le : mardi 15 janvier 2008-15:51:05
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00204821 , version 1
Citer
S. Duguay, J.J. Grob, A. Slaoui, P. Kern. Influence of the Ge dose in ion-implanted SiO2 layers on the related nanocrystal-memory properties. Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Science and Technology of Nonvolatile Memories, Apr 2006, SAN FRANCISCO, United States. p. G02-05. ⟨hal-00204821⟩
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