GISAXS study of porous dielectrics used in advanced microelectronics connections - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Crystallography Année : 2007

GISAXS study of porous dielectrics used in advanced microelectronics connections

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00204743 , version 1 (15-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00204743 , version 1

Citer

V. Jousseaume, J.P. Simon, G. Rolland. GISAXS study of porous dielectrics used in advanced microelectronics connections. Journal of Applied Crystallography, 2007, 40, pp.s363-s366. ⟨hal-00204743⟩

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