Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00203989 , version 1 (11-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00203989 , version 1

Citer

Bertrand Ardouin, Thomas Zimmer, Philippe Cazenave. Transistors bipolaires à hétérojonctions : dispositifs Si/SiGe. Modélisation du transistor bipolaire intégré 2 : dispositifs à hétérojonctions, Hermes Lavoisier, pp.1, 2005. ⟨hal-00203989⟩
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