"Porosity and structure evolution of a SiOCH low k material during post-etch cleaning process" - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2007

"Porosity and structure evolution of a SiOCH low k material during post-etch cleaning process"

L. Broussous
  • Fonction : Auteur
W. Puyrenier
  • Fonction : Auteur
D. Rebiscoul
V. Rouessac

Domaines

Chimie

Dates et versions

hal-00202919 , version 1 (08-01-2008)

Identifiants

Citer

L. Broussous, W. Puyrenier, D. Rebiscoul, V. Rouessac, A. Ayral. "Porosity and structure evolution of a SiOCH low k material during post-etch cleaning process". Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.2600-2605. ⟨10.1016/j.mee.2007.07.001⟩. ⟨hal-00202919⟩
35 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More