Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2007
Nathalie Bonneval : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00202919
Soumis le : mardi 8 janvier 2008-14:05:30
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Citer
L. Broussous, W. Puyrenier, D. Rebiscoul, V. Rouessac, A. Ayral. "Porosity and structure evolution of a SiOCH low k material during post-etch cleaning process". Microelectronic Engineering, 2007, 84, pp.2600-2605. ⟨10.1016/j.mee.2007.07.001⟩. ⟨hal-00202919⟩
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