Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2007
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00199736
Soumis le : mercredi 19 décembre 2007-14:26:01
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00199736 , version 1
Citer
Mohamed Faqir, G. Verzellesi F. Fantini F. Danesin F. Rampazzo G. Meneghesso E. Zanoni A. Cavallini A. Castaldini, Nathalie Labat, Christian Dua, A. Touboul. Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs. Microelectronics Reliability, 2007, 47, pp.1639-1642. ⟨hal-00199736⟩
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