Investigations on the internal physical behaviour of 600V punch-through IGBT under latch-up at high temperature - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

Investigations on the internal physical behaviour of 600V punch-through IGBT under latch-up at high temperature

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00185563

Soumis le : mardi 6 novembre 2007-13:51:29

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00185563 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185563 , version 1

Citer

Stéphane Azzopardi, Jean-Michel Vinassa, Christian Zardini. Investigations on the internal physical behaviour of 600V punch-through IGBT under latch-up at high temperature. 27th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 1997, Germany. pp.1. ⟨hal-00185563⟩

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