Switching performances comparison of 1200V punch-through and nonpunch-through IGBTs under hard-switching at high Temperature - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1998

Switching performances comparison of 1200V punch-through and nonpunch-through IGBTs under hard-switching at high Temperature

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00185562

Soumis le : mardi 6 novembre 2007-13:51:29

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00185562 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185562 , version 1

Citer

Stéphane Azzopardi, Jean-Michel Vinassa, Eric Woirgard. Switching performances comparison of 1200V punch-through and nonpunch-through IGBTs under hard-switching at high Temperature. Proceedings of the IEEE Power Electronics Specialist Conference (PESC), 1998, Japan. pp.1201-1207. ⟨hal-00185562⟩

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