Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1997

Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés

T. Calin
  • Fonction : Auteur
Hervé Lapuyade
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Michael Nicolaidis
  • Fonction : Auteur
Raoul Velazco
Pascal Fouillat
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00185417

Soumis le : mardi 6 novembre 2007-09:05:30

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00185417 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185417 , version 1

Citer

T. Calin, Hervé Lapuyade, Michael Nicolaidis, Raoul Velazco, Pascal Fouillat. Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés. Journées Nationales d Etudes de l association RADECS, 1997, France. pp.1. ⟨hal-00185417⟩

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