IGBT power modules thermal characterization : what is the optimum between a low current - high voltage or a high current - low voltage test condition for the same electrical power ? - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2003

IGBT power modules thermal characterization : what is the optimum between a low current - high voltage or a high current - low voltage test condition for the same electrical power ?

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Ims Import  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00183574

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:31:16

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183574 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183574 , version 1

Citer

Stéphane Azzopardi, Eric Woirgard, Jean-Michel Vinassa, Olivier Briat, Christian Zardini. IGBT power modules thermal characterization : what is the optimum between a low current - high voltage or a high current - low voltage test condition for the same electrical power ?. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1091-1906. ⟨hal-00183574⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
56 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More