Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183569

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:29:34

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183569 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183569 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs. 2004 European Microwave Week, Workshop on Wide band gap Research for Microwave applications : Materials, devices and circuit Issues, 2004, Netherlands. ⟨hal-00183569⟩

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