Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183569 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183569 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Low frequency drain and gate noise in GaN FEMTs. 2004 European Microwave Week, Workshop on Wide band gap Research for Microwave applications : Materials, devices and circuit Issues, 2004, Netherlands. ⟨hal-00183569⟩
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