Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183566

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:21:01

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183566 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183566 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s. Fluctuation and Noise Conference, 2004, Spain. pp.1. ⟨hal-00183566⟩

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