Article Dans Une Revue
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res
Année : 1999
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https://hal.science/hal-00183551
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:07:36
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183551 , version 1
Citer
N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux, P. Vennegues, S. Dalmasso, et al.. Molecular beam epitaxy of high quality InGaN alloys using ammonia : Optical and structural properties. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res, 1999, 1, pp.1. ⟨hal-00183551⟩
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