Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 1999
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https://hal.science/hal-00183550
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:07:36
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183550 , version 1
Citer
N. Grandjean, J. Massies, S. Dalmasso, P. Vennegues, L. Siozade, et al.. GaInN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 1999, 74, pp.1. ⟨hal-00183550⟩
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