GaInN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 1999

GaInN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy

N. Grandjean
J. Massies
  • Fonction : Auteur
S. Dalmasso
  • Fonction : Auteur
P. Vennegues
  • Fonction : Auteur
L. Siozade
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183550 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183550 , version 1

Citer

N. Grandjean, J. Massies, S. Dalmasso, P. Vennegues, L. Siozade, et al.. GaInN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 1999, 74, pp.1. ⟨hal-00183550⟩
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