Communication Dans Un Congrès
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00183514
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:57
Dernière modification le : lundi 17 mars 2025-19:25:40
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183514 , version 1
Citer
Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet. Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances. International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2001, Singapour. pp.1. ⟨hal-00183514⟩
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