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Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183514 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183514 , version 1

Citer

Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet. Influence of thermal and impact ionization stresses on AlGaAs/InGaAs HEMT DC performances. International Symposium on Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, 2001, Singapour. pp.1. ⟨hal-00183514⟩
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