Communication Dans Un Congrès
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00183510
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:56
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183510 , version 1
Citer
Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. Fluctuation and Noise Conference, 2003, United States. pp.342-349. ⟨hal-00183510⟩
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