Methodology to compare on-state breakdown loci of GaAs FETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183506 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183506 , version 1

Citer

Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro. Methodology to compare on-state breakdown loci of GaAs FETs. ICM Conference, 2004, Tunisia. pp.1. ⟨hal-00183506⟩
31 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More