Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress

Christian Dua
  • Fonction : Auteur
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
Ma Diforte-Poisson
  • Fonction : Auteur
Sylvain Delage
  • Fonction : Auteur
F. Rampazzo
  • Fonction : Auteur
A. Tazzoli
  • Fonction : Auteur
F. Danesin
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
Enrico Zanoni
  • Fonction : Auteur
B. Grimber
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183500 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183500 , version 1

Citer

Alberto Sozza, Christian Dua, E. Morvan, Ma Diforte-Poisson, Sylvain Delage, et al.. Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hour on-state and off-state hot electron stress. Proceeding of IEDM, 2005, United States. pp.1. ⟨hal-00183500⟩
122 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More