Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2000
Ims Import : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00183497
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:47
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183497 , version 1
Citer
Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, et al.. Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs. Microelectronics Reliability, 2000, 40, pp.1. ⟨hal-00183497⟩
Collections
69
Consultations
0
Téléchargements