Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2000
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183497 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183497 , version 1

Citer

Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul, et al.. Comparison of RF and DC life-test effects on GaAs power MESFETs. Microelectronics Reliability, 2000, 40, pp.1. ⟨hal-00183497⟩
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