Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2001

Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183494

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:45

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00183494 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183494 , version 1

Citer

Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime. IEEE Electron Device Letters, 2001, 1, pp.1. ⟨hal-00183494⟩

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