Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183493 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183493 , version 1

Citer

Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Andre Touboul, François Garat, et al.. Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs. Microelectronics Reliability, 2002, 42, pp.1. ⟨hal-00183493⟩
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