Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2002
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https://hal.science/hal-00183493
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:44
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183493 , version 1
Citer
Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Andre Touboul, François Garat, et al.. Degradation mechanisms induced by thermal and bias stresses in InP HEMTs. Microelectronics Reliability, 2002, 42, pp.1. ⟨hal-00183493⟩
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