Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183476

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:47:39

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183476 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183476 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, et al.. Investigation on GaAs power MESFETs submitted to RF life-test by LF noise and drain current transient analysis. IEEE GaAs Reliability Workshop, 1999, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00183476⟩

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