Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183105

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:32:00

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183105 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183105 , version 1

Citer

Jean-Christophe Martin, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul. Caractérisation électrique et modélisation de l'ionisation par impact sur des Transistors Bipolaires à Hétérojonction sur InP. Journées Nationales du Réseau Doctoral Microélectronique 2002, 2002, France. ⟨hal-00183105⟩

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