InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation

Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Mohamed Belhaj
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 855519
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Andre Touboul
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Muriel Riet
  • Fonction : Auteur
Myrtil L. Kahn
Jean Godin
  • Fonction : Auteur
Philippe Bove
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183102

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:59

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183102 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183102 , version 1

Citer

Cristell Maneux, Mohamed Belhaj, Nathalie Labat, Andre Touboul, Muriel Riet, et al.. InP/GaAsSb/InP DHBT: Analysis of specific material parameters and high current effect by physical simulation. Conference GAAS 2004, 2004, Netherlands. pp.1. ⟨hal-00183102⟩

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