LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique III Année : 1995
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183098 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183098 , version 1

Citer

Nathalie Saysset, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. LF excess noise analysis of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs. Journal de Physique III, 1995, 5, pp.1. ⟨hal-00183098⟩
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