Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 1997

Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183095

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:51

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-00183095 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183095 , version 1

Citer

Nathalie Labat, Nathalie Saysset, Cristell Maneux, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization. Microelectronics Reliability, 1997, 37, pp.1. ⟨hal-00183095⟩

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