Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 1997
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183095 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183095 , version 1

Citer

Nathalie Labat, Nathalie Saysset, Cristell Maneux, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. Analysis of hot electron degradations in pseudomorphic HEMTs by DCTS and LF noise characterization. Microelectronics Reliability, 1997, 37, pp.1. ⟨hal-00183095⟩
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