Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 1999

Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183094

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:50

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

hal-00183094 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183094 , version 1

Citer

Nathalie Malbert, Benoit Lambert, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, et al.. Effects of RF life-test on LF electrical parameters of GaAs power MESFETs. Microelectronics Reliability, 1999, 39, pp.1. ⟨hal-00183094⟩

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