Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00183091
Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:46
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183091 , version 1
Citer
Mohamed Belhaj, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Philippe Bove, et al.. High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1. ⟨hal-00183091⟩
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