On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183089 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183089 , version 1

Citer

Brice Grandchamp, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Thomas Zimmer. On-wafer low frequency noise measurements of SiGe HBTs: Impact of technological improvements on 1/f noise. Microelectronics Reliability, 2004, 1, pp.1. ⟨hal-00183089⟩
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