Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Ims Import  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00183087

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:40

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183087 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183087 , version 1

Citer

Cristell Maneux, Mohamed Belhaj, Brice Grandchamp, Nathalie Labat, Andre Touboul. Two dimensional DC simulation methodology for InP/GaAs0.51Sb0.49/InP heterojunction bipolar transistor. Solid-State Electronics, 2005, 49, pp.1. ⟨hal-00183087⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
55 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More