A 2 GHz 2 mW SiGe BiCMOS Frequency Divider with New Latch Based Structure - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

A 2 GHz 2 mW SiGe BiCMOS Frequency Divider with New Latch Based Structure

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183019

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:11:07

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183019 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183019 , version 1

Citer

Olivier Mazouffre, Jean-Baptiste Begueret, Andrea Cathelin, D. Belot, Yann Deval. A 2 GHz 2 mW SiGe BiCMOS Frequency Divider with New Latch Based Structure. 4th IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Intergrated Circuits in RF Systems (SiRF'03), 2003, Germany. ⟨hal-00183019⟩

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