Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181982 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181982 , version 1

Citer

Sébastien Fregonese, Thomas Zimmer, Cristell Maneux, Pierre-Yvan Sulima. Barrier effects in SiGe HBT: Modeling of high-injection base current increase. IEEE Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, 2004, Canada. pp.1. ⟨hal-00181982⟩
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