A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Ims Import  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00181979

Soumis le : mercredi 24 octobre 2007-17:28:11

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181979 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181979 , version 1

Citer

Sébastien Fregonese, Gregory Avenier, Cristell Maneux, A. Chantre, Thomas Zimmer. A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT. BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, 2005, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00181979⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
60 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More