MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B(Al)GaN for compact Ultraviolet lasers - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B(Al)GaN for compact Ultraviolet lasers

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181871 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181871 , version 1

Citer

S. Gautier, C. Sartel, S. Ould-Saad Hamady, A. Ougazzaden. MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B(Al)GaN for compact Ultraviolet lasers. PHysics & Applications of SEmiconductor LASERs, 2005, Metz, France. ⟨hal-00181871⟩
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