3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology

Mots clés

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181694 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181694 , version 1

Citer

Sebastien Fregonese, Yan Zhuang, Joachim Norbert Burghartz. 3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology. GDR Nanoélectronique, Oct 2006, Grenoble, France. ⟨hal-00181694⟩
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