Communication Dans Un Congrès
Année : 2006
sebastien fregonese : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00181694
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007-11:54:42
Dernière modification le : mardi 26 mars 2024-17:44:13
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00181694 , version 1
Citer
Sebastien Fregonese, Yan Zhuang, Joachim Norbert Burghartz. 3D Simulation Study of Strained CMOS based on a disposable SiGe Dot Technology. GDR Nanoélectronique, Oct 2006, Grenoble, France. ⟨hal-00181694⟩
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