Growth of AlN and AlN-SiC solid solution by sublimation method - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00173468 , version 1 (19-09-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00173468 , version 1

Citer

M. Anikin, D. Chaussende, Etienne Pernot, Hervé Roussel, O. Chaix, et al.. Growth of AlN and AlN-SiC solid solution by sublimation method. Internatinal Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM2005, 2005, Pittsburgh, United States. pp.1501-1504. ⟨hal-00173468⟩
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