Article Dans Une Revue
Fluctuation and Noise Letters
Année : 2004
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00162793
Soumis le : lundi 16 juillet 2007-10:40:26
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00162793 , version 1
Citer
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.L319-L328. ⟨hal-00162793⟩
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