Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00162730
Soumis le : lundi 16 juillet 2007-09:43:38
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00162730 , version 1
Citer
F. Natali, F. Semond, J. Massies, D. Byrne, S. Laugt, et al.. Correlation between threading dislocation density and the refractive index of AlN grown by molecular-beam epitaxy on Si(111). Applied Physics Letters, 2003, 82, pp.1386-1388. ⟨hal-00162730⟩
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