Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00162728
Soumis le : lundi 16 juillet 2007-09:43:36
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:30:37
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00162728 , version 1
Citer
H.P.D. Schenk, E. Feltin, M. Laugt, O. Tottereau, P. Vennegues, et al.. Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters, 2003, 83, pp.5139-5141. ⟨hal-00162728⟩
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