Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34 HEMT on GaAs substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00159007 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00159007 , version 1

Citer

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger. Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34 HEMT on GaAs substrate. The Fourth International Conference of the Learning Sciences, Jun 2000, Ann Arbor, MI, United States. pp.IV-7, IV-8. ⟨hal-00159007⟩
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