Gate ionization current of an enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00159006 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00159006 , version 1

Citer

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger. Gate ionization current of an enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate. 30th European Microwave Conferences, 2000, Paris, France. pp.90-93. ⟨hal-00159006⟩
21 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More